Amplificateur de puissance haute vitesse et haute capacité pour les réseaux de nouvelle génération

NEC Corporation a développé un amplificateur de puissance qui servira de dispositif clé pour l’accès mobile et l’équipement de communication sans fil fronthaul/backhaul afin de permettre des communications à haut débit et à haute capacité pour les réseaux 5G Advanced et 6G. Cet amplificateur de puissance utilise la technologie GaAs qui peut être produite en série et a atteint la puissance de sortie la plus élevée au monde de 10 mW dans la bande 150 GHz. En capitalisant sur cela, NEC vise à accélérer à la fois le développement de l’équipement et la mise en œuvre sociale.

La 5G Advanced et la 6G devraient fournir des communications haute vitesse et haute capacité de classe 100 Gbps, soit 10 fois la vitesse de la 5G actuelle. Ceci peut être réalisé efficacement grâce à l’utilisation de la bande sous-térahertz (100 à 300 GHz), qui peut fournir une large bande passante de 10 GHz ou plus. En particulier, une commercialisation rapide de la bande D (130 à 174,8 GHz), qui est attribuée au niveau international pour les communications fixes sans fil, est attendue.

NEC continue de faire des progrès dans le développement technologique en tirant parti de sa connaissance des bandes haute fréquence cultivée par le développement et l’exploitation d’équipements radio pour les stations de base 5G et PASOLINK, un système de communication micro-ondes ultra-compact qui connecte les stations de base via une communication sans fil.

L’amplificateur de puissance nouvellement développé utilise un procédé de transistor pseudomorphique à haute mobilité électronique (pHEMT) à l’arséniure de gallium (GaAs) de 0,1 μm disponible dans le commerce. Par rapport au CMOS et au silicium germanium (SiGe) utilisés pour la bande sous-térahertz, les pHEMT GaAs ont une tension de fonctionnement élevée et des coûts initiaux inférieurs pour la production de masse.

En termes de conception de circuit, cet amplificateur de puissance élimine les facteurs qui dégradent les performances dans la bande haute fréquence et utilise une configuration de réseau d’adaptation d’impédance adaptée à une puissance de sortie élevée. Cela a permis d’obtenir d’excellentes caractéristiques haute fréquence entre 110 GHz et 150 GHz ainsi que la puissance de sortie la plus élevée au monde pour un pHEMT GaAs.

Outre la réalisation d’équipements de communication radio performants et à bas coût au-dessus de 100 GHz, cet amplificateur de puissance permettra d’accélérer l’implémentation sociale de la 5G Advanced et de la 6G.

À l’avenir, NEC continuera à développer des technologies visant à obtenir des communications sans fil à haut débit, à haute capacité et rentables pour la 5G Advanced et la 6G.

NEC annoncera de plus amples détails concernant cette technologie lors de la conférence thématique IEEE sur les amplificateurs de puissance RF/micro-ondes pour les applications radio et sans fil (PAWR2023), une conférence internationale qui se tiendra à Las Vegas, Nevada, États-Unis, à partir du 22 janvier 2023.

Fourni par NEC Corporation