T pour Turbo avec des performances 13 % supérieures, 1,01 V avec des vitesses de 9 600 Mbps

SK hynix a annoncé le développement de la DRAM LPDDR5T qui serait la solution de mémoire la plus rapide au monde pour les appareils mobiles.

SK hynix développe LPDDR5T, la DRAM mobile la plus rapide au monde avec des performances 13 % supérieures et une efficacité accrue

Communiqué de presse : SK hynix Inc. (ou « la société », www.skhynix.com) a annoncé aujourd’hui avoir développé la DRAM mobile la plus rapide au monde « LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) » et fourni des exemples de produits aux clients.

Le nouveau produit, LPDDR5T, fonctionne à un débit de données de 9,6 gigabits par seconde (Gbps), 13 % plus rapide que la génération précédente LPDDR5X* dévoilée en novembre 2022. Pour mettre en évidence la vitesse maximale des fonctionnalités du produit, SK hynix a ajouté « Turbo » à la fin du nom standard LPDDR5.

* LPDDR : DRAM à faible consommation d’énergie pour les appareils mobiles, y compris les smartphones et les tablettes, visant à minimiser la consommation d’énergie et offrant un fonctionnement à basse tension. LPDDR5X DRAM est le produit de 7ème génération, succédant à la série de tels qui se termine par 1, 2, 3, 4, 4X et 5. LPDDR5T est une nouvelle version développée par SK hynix, qui est un produit amélioré de la 7ème génération (5X) avant le développement du LPDDR6 de 8ème génération.

Le LPDDR5T, qui fonctionne dans la plage de tension ultra-basse de 1,01 à 1,12 V définie par le JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), est un produit qui offre non seulement la vitesse la plus élevée, mais aussi une consommation d’énergie ultra-faible.

“La société a poussé la technologie à de nouvelles limites en seulement deux mois après que LPDDR5X, une DRAM mobile avec une spécification de 8,5 Gbit/s, a été introduite sur le marché en novembre 2022”, a déclaré SK hynix. « Nous allons consolider notre leadership sur le marché des DRAM mobiles en proposant des produits de différentes capacités de stockage qui répondent aux besoins des clients.

SK hynix a déclaré avoir fourni à ses clients des échantillons de packages multi-puces de 16 gigaoctets (Go), qui combinent plusieurs puces LPDDR5T en un seul package. Le produit emballé peut traiter 77 Go de données par seconde, ce qui équivaut à transférer quinze films FHD (Full-HD) en une seconde.

SK hynix prévoit de commencer la production de masse de LPDDR5T en utilisant 1anm, la quatrième génération de la technologie 10nm, au second semestre.

Pendant ce temps, SK hynix a, une fois de plus, intégré le procédé HKMG (High-K Metal Gate)* dans le dernier produit qui a permis au nouveau produit d’offrir les meilleures performances, et s’attend à ce que LPDDR5T, qui a considérablement creusé l’écart technologique, “pour diriger le marché avant le développement de la prochaine génération de LPDDR6.

* HKMG : Un processus de nouvelle génération qui utilise un matériau avec une constante diélectrique élevée (K) dans le film isolant à l’intérieur des transistors DRAM pour éviter les courants de fuite et améliorer la capacité. Il réduit la consommation d’énergie tout en augmentant la vitesse. SK hynix était devenu le premier du secteur à intégrer le processus dans la DRAM mobile en novembre 2022.

L’industrie informatique prévoit une demande croissante de puces mémoire avec des spécifications avancées à mesure que le marché des smartphones 5G se développe davantage. Dans cette tendance, SK hynix s’attend à ce que l’application de LPDDR5T s’étende au-delà des smartphones à l’intelligence artificielle (IA), à l’apprentissage automatique et à la réalité augmentée/virtuelle (AR/VR).

“Avec le développement de LPDDR5T, la société a répondu à la demande des clients pour des produits ultra-performants”, a déclaré Sungsoo Ryu, responsable de la planification des produits DRAM chez SK hynix. “Nous continuerons à travailler sur le développement technologique pour diriger le marché des semi-conducteurs de nouvelle génération et changer la donne dans le monde de l’informatique.”

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