par Samsung a annoncé le développement de sa DRAM DDR5 de classe 12 nm de nouvelle génération, capable de fournir des vitesses de broche allant jusqu’à 7,2 Gbps.
La DRAM DDR5 12 nm de Samsung commence la production de masse en 2023 : 7,2 Gbit/s de vitesse de broche, 23 % de puissance en moins
Communiqué de presse : Samsung Electronics Co., Ltd., le leader mondial de la technologie de mémoire avancée, a annoncé aujourd’hui le développement de sa DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) construite à l’aide de la première technologie de traitement de classe 12 nanomètres (nm) du secteur, comme ainsi que l’achèvement de l’évaluation du produit pour la compatibilité avec AMD.
“Notre DRAM de 12 nm sera un catalyseur clé pour favoriser l’adoption de la DRAM DDR5 à l’échelle du marché”, a déclaré Jooyoung Lee, vice-président exécutif des produits et technologies DRAM chez Samsung Electronics. “Avec des performances et une efficacité énergétique exceptionnelles, nous nous attendons à ce que notre nouvelle DRAM serve de base à des opérations plus durables dans des domaines tels que l’informatique de nouvelle génération, les centres de données et les systèmes pilotés par l’IA.”
« L’innovation nécessite souvent une collaboration étroite avec des partenaires de l’industrie pour repousser les limites de la technologie », a déclaré Joe Macri, vice-président senior, Corporate Fellow et client, Compute, and Graphics CTO chez AMD. “Nous sommes ravis de collaborer à nouveau avec Samsung, en particulier sur l’introduction de produits de mémoire DDR5 optimisés et validés sur les plates-formes ‘Zen’.”
via Samsung
Ce saut technologique a été rendu possible grâce à l’utilisation d’un nouveau matériau à haut κ qui augmente la capacité des cellules et à une technologie de conception exclusive qui améliore les caractéristiques critiques du circuit. Combinée à une lithographie ultra-violette extrême (EUV) multicouche avancée, la nouvelle DRAM présente la densité de matrice la plus élevée de l’industrie, ce qui permet un gain de productivité de 20 % sur les tranches.
Tirant parti de la dernière norme DDR5, la DRAM de classe 12 nm de Samsung aidera à débloquer des vitesses allant jusqu’à 7,2 gigabits par seconde (Gbps). Cela se traduit par le traitement de deux films UHD de 30 gigaoctets (Go) en une seule seconde.
La vitesse exceptionnelle de la nouvelle DRAM s’accompagne d’une plus grande efficacité énergétique. Consommant jusqu’à 23 % d’énergie en moins que la DRAM précédente, la DRAM de classe 12 nm sera une solution idéale pour les entreprises informatiques mondiales qui poursuivent des opérations plus respectueuses de l’environnement.
Alors que la production de masse devrait commencer en 2023, Samsung prévoit d’élargir sa gamme de DRAM basée sur cette technologie de traitement de pointe de classe 12 nm dans un large éventail de segments de marché, tout en continuant à travailler avec des partenaires de l’industrie pour soutenir l’expansion rapide de la prochaine informatique de génération.
