par En février, lors de la 70e conférence internationale IEEE sur les circuits à semi-conducteurs (ISSCC), SK Hynix a surpris les participants avec des détails sur les nouvelles puces NAND 3D de huit générations qui intègrent plus de trois cents couches actives. L’article présenté lors de la conférence de SK Hynix, intitulé “Mémoires haute densité et interface haute vitesse”, décrit comment la société augmentera les performances des disques SSD tout en réduisant les coûts des téraoctets individuels. La nouvelle NAND 3D fera ses débuts sur le marché d’ici deux ans et devrait battre des records.
SK Hynix dévoile le développement de la mémoire NAND 3D de 8e génération avec un débit de données plus rapide et des niveaux de stockage plus élevés
La nouvelle mémoire NAND 3D de huitième génération offrira une capacité de stockage de 1 To (128 Go), présentant des cellules à trois niveaux, une densité de bits de 20 Go/mm², une taille de page de 16 Ko, quatre plans et une interface de 2400 MT/s. Le débit de données maximal atteindra 194 Mo/s, soit dix-huit pour cent de plus que la précédente NAND 3D de septième génération avec 238 couches et des débits de 164 Mo/s. L’entrée et la sortie accélérées faciliteront le débit de données et faciliteront l’utilisation de l’interface PCIe 5.0 x4 ou supérieure.
Les équipes de recherche et développement de la société ont examiné cinq domaines à mettre en œuvre dans la nouvelle technologie 3D NAND de huitième génération :
- Fonction TPGM (Triple-Verify Program) qui réduit la distribution de la tension de seuil des cellules et réduit le tPROG (temps de programme) de 10 %, ce qui se traduit par des performances supérieures
- Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) – une autre procédure pour réduire le tPROG d’environ 2 %
- Schéma All-Pass Rising (APR) qui réduit tR (temps de lecture) d’environ 2 % et réduit le temps de montée de la ligne de mots
- Technique de chaîne fictive programmée (PDS) qui réduit le temps de stabilisation de la ligne mondiale pour tPROG et tR en réduisant la charge de capacité du canal
- Capacité de relance de lecture au niveau du plan (PLRR) qui permet de modifier le niveau de lecture d’un plan sans en terminer d’autres, par conséquent, d’émettre immédiatement des commandes de lecture ultérieures et d’améliorer la qualité de service (QoS) et donc les performances de lecture
Étant donné que le nouveau produit de SK Hynix est toujours en développement, on ne sait pas quand SK Hynix commencera la production. Avec l’annonce lors de la conférence ISSCC 2023, on pourrait supposer que l’entreprise est beaucoup plus proche que le public ne le pense du démarrage d’une production de masse ou partielle avec des partenaires.
La société n’a pas révélé de calendrier pour la production de la nouvelle génération de NAND 3D. Pourtant, les analystes s’attendent à voir des mouvements de l’entreprise en 2024 au plus tôt, avec l’année suivante au plus tard. Les seuls problèmes qui arrêteraient le développement seraient si les ressources devenaient indisponibles à grande échelle, ce qui arrêterait toute production dans l’entreprise et les autres.
Sources d’actualités : matériel de Tom, TechPowerUp, blocs et fichiers
