Premiers pas vers des puces mémoire ULTRARAM révolutionnaires

Premiers pas vers un ULTRARAM & amp; trade révolutionnaire;  puces de mémoire

La nouvelle RAM non volatile, appelée ULTRARAM, est une implémentation fonctionnelle de la soi-disant «mémoire universelle», promettant tous les avantages de la DRAM et du flash, sans aucun des inconvénients. Crédits: Manus Hayne

ULTRARAM a fait un pas de plus vers le développement avec une expérience réussie menée par des physiciens de Lancaster.

Le professeur Manus Hayne, qui dirige la recherche, a commenté: « Ces nouveaux résultats confirment les propriétés étonnantes d’ULTRARAM, nous permettant de démontrer son potentiel en tant que mémoire non volatile rapide et efficace à haute endurance. »

Actuellement, les deux principaux types de mémoire, la RAM dynamique (DRAM) et la mémoire flash, ont des caractéristiques et des rôles complémentaires:

  • La DRAM est rapide, donc utilisée pour la mémoire active (de travail), mais elle est volatile, ce qui signifie que les informations sont perdues lorsque l’alimentation est coupée. En effet, la DRAM «oublie» continuellement et doit être constamment actualisée.
  • Flash est non volatile, vous permettant de transporter des données dans votre poche, mais il est très lent et s’use. Il est bien adapté pour le stockage de données mais ne peut pas être utilisé pour la mémoire active.

La « mémoire universelle » est une mémoire dans laquelle les données sont stockées de manière très robuste, mais peuvent également être facilement modifiées; quelque chose qui était largement considéré comme irréalisable jusqu’à présent.

L’équipe de Lancaster a résolu le paradoxe de la mémoire universelle en exploitant un effet de mécanique quantique appelé tunnel résonnant qui permet à une barrière de passer d’opaque à transparente en appliquant une faible tension.

Leur nouvelle RAM non volatile, appelée ULTRARAM, est une implémentation fonctionnelle de la soi-disant «mémoire universelle», promettant tous les avantages de la DRAM et du flash, sans aucun des inconvénients.

Dans leur dernier ouvrage, publié dans Transactions IEEE sur les appareils électroniques, les chercheurs ont intégré pour la première fois des appareils ULTRARAM dans de petites baies (4 bits). Cela leur a permis de vérifier expérimentalement une nouvelle architecture de mémoire en instance de brevet qui formerait la base des futures puces de mémoire ULTRARAM.

Ils ont également modifié la conception de l’appareil pour tirer pleinement parti de la physique du tunnel résonnant, ce qui donne des appareils 2000 fois plus rapides que les premiers prototypes, et avec une endurance de cycle programme / effacement qui est au moins dix fois meilleure que le flash, sans aucune compromettre la conservation des données.


La recherche sur la «  mémoire universelle  » franchit une nouvelle étape


Plus d’information:
D. Lane et al, ULTRARAM: Toward the Development of a III-V Semiconductor, Nonvolatile, Random Access Memory, Transactions IEEE sur les appareils électroniques (2021). DOI: 10.1109 / TED.2021.3064788

Fourni par l’Université de Lancaster

Citation: Premiers pas vers des puces mémoire révolutionnaires ULTRARAM (2021, 29 mars) récupéré le 13 avril 2021 sur https://techxplore.com/news/2021-03-revolutionary-ultraram-memory-chips.html

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