IBM et Samsung s’associent pour concevoir des transistors à effet de champ à transport vertical

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Crédit : CC0 Domaine Public

Des responsables d’IBM et de Samsung ont annoncé lors de la conférence IEDM de cette année à San Francisco une collaboration sur une nouvelle conception de puce qui ajoute des transistors verticalement sur une puce. Dans le cadre de leur annonce, ils ont suggéré que leurs transistors à effet de champ à transport vertical (VTFET) pourraient doubler la vitesse des puces de processeur, ou bien réduire la puissance qu’ils utilisent jusqu’à 85 %.

Depuis le début de la technologie numérique, les puces de traitement sont fabriquées en plaçant de minuscules transistors sur une puce et en les connectant. Au fil du temps, les ingénieurs ont placé de plus en plus de transistors sur des puces qui sont restées à peu près de la même taille, conformément à la loi de Moore, qui stipule que le nombre de transistors sur une puce devrait doubler chaque année. Les ingénieurs savent depuis longtemps qu’il y a des limites à la loi de Moore – à terme, il deviendrait impossible d’ajouter ne serait-ce qu’un transistor de plus, et encore moins le double du nombre qui existe.

Les chercheurs cherchent donc d’autres moyens de fabriquer des puces. Mais en attendant, les ingénieurs continuent de chercher des moyens d’ajouter plus de transistors aux puces conventionnelles. Dans leur annonce, IBM et Samsung ont expliqué qu’ils prenaient des mesures pour commencer à concevoir des puces pouvant s’étendre verticalement. D’un point de vue pratique, le déménagement était inévitable. Par analogie, lorsque les villes sont devenues trop grandes pour être efficaces, les ingénieurs ont commencé à augmenter la hauteur des bâtiments, transformant essentiellement des villes 2D en villes 3D. Les responsables et les ingénieurs d’IBM et de Samsung (et sans aucun doute d’autres sociétés, telles qu’Intel) suggèrent qu’il est maintenant temps de commencer à faire de même avec les microprocesseurs.

La conception VTFET d’IBM et de Samsung est encore en phase de développement – il n’y a pas de puces à installer dans les ordinateurs réels, mais elle marque le début d’une nouvelle ère dans l’informatique lorsque les ordinateurs et autres appareils numériques tels que les téléphones et les tablettes fonctionnera non seulement plus rapidement, mais utilisera beaucoup moins d’énergie, ce qui prolongera la durée de vie des batteries. En effet, une conception verticale permettra de raccourcir le chemin que les électrons devront parcourir lors de l’envoi de signaux entre les transistors.


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Citation: IBM et Samsung s’associent pour concevoir des transistors à effet de champ à transport vertical (2021, 16 décembre) récupéré le 16 décembre 2021 sur https://techxplore.com/news/2021-12-ibm-samsung-team-vertical-field.html

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