Des chercheurs développant des semi-conducteurs 2D de nouvelle génération étudient le remplacement potentiel du silicium dans le dichalcogénure de métal de transition

Des chercheurs du laboratoire de physique des plasmas de Princeton (PPPL) du département américain de l'énergie développent la prochaine génération de puces qui seront plus petites, plus fines et plus efficaces. L'équipe de recherche, dirigée par Shoaib Khalid, étudie l'utilisation du dichalcogénure de métal de transition (TMD) pour remplacer le silicium dans les processeurs.

Dans une interview accordée à Tom's Hardware, Shoaib a déclaré : « Les puces deviennent de plus en plus petites, de sorte que leur limite est presque atteinte en termes de fonctionnalité et de taille. » La loi de Moore stipule que le nombre de transistors dans les semi-conducteurs doublera tous les deux ans. Cependant, à mesure que les nœuds de processus deviennent plus petits, la loi de Moore devrait ralentir à trois ans, au lieu des deux ans habituels. Après cela, nous atteindrons bientôt les limites physiques des semi-conducteurs lorsque nous commencerons à atteindre l'échelle de deux nanomètres ou moins.

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